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Estilo de montagem: Through Hole
Número de canais: 1
Polaridade do transistor: N-Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 22 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 270 mOhms
Tensão de limite porta e fonte: 3 V
Vgs - Voltagem de porta e fonte: 10 V
Qg - Carga na porta: 50 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 350 W
Configuração: Single
Modo de canal: Enhancement
Altura: 20.3 mm
Comprimento: 15.8 mm
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Largura: 4.9 mm
Marca: IXYS
Transcondutância em avanço - Mín: 12 S
Tempo de queda: 21 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 25 ns
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