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2N2219A - NPN Bipolar (BJT) Single Transistor 40V 800mA
2N2219A - NPN Bipolar (BJT) Single Transistor 40V 800mA
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Descrição
2N2219A - NPN Bipolar (BJT) Single Transistor 40V 800mA
Fabricante: Central Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-39-3
Polaridade do transistor: NPN
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 40 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 75 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 6 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 1 V
Corrente do coletor DC máxima: 0.8 A
Produto fT da largura de banda de ganho: 300 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Série: 2N2219
Altura: 6.6 mm
Comprimento: 9.4 mm
Largura: 9.4 mm
Marca: Central Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 0.45 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 35
Pd - Dissipação de potência: 800 mW
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors
Peso unitário: 1,100 g