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Fabricante: Central Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
Estilo de montagem: Through Hole
Polaridade do transistor: PNP
Configuração: Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 50 V
Coletor VCBO de voltagem básica: 50 V
Emissor - VEBO de tensão de base: 3 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 0.3 V
Corrente do coletor DC máxima: 0.05 A
Produto fT da largura de banda de ganho: 40 MHz
Temperatura operacional mínima: - 65 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Altura: 5.33 mm
Comprimento: 5.21 mm
Largura: 4.19 mm
Tensão do coletor contínua: 0.05 A
Coletor DC/Ganho base hfe Min: 250
Pd - Dissipação de potência: 625 mW
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors
Peso unitário: 453,600 mg
